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 仕様 内容 仕様 内容
メーカーサムスン評価3.8
発売時期2018/5/上旬容量1000GB
タイプV-NAND 3bit MLC規格サイズM.2 (Type2280)
設置タイプ内蔵厚さ2.38mm
読込速度3400MB/s書込速度2500MB/s
ランダム読込速度4KBランダム(QD1)読み出し:15,000 IOPS、4KBランダム(QD32)読み出し:500,000 IOPSランダム書込速度4KBランダム(QD1)書き込み:50,000 IOPS、4KBランダム(QD32)書き込み:450,000 IOPS

サムスン製品情報仕様

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