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 仕様 内容 仕様 内容
メーカーサムスン評価-
発売時期2018/5/16容量1000GB
タイプV-NAND 3bit MLC規格サイズM.2 (Type2280)
設置タイプ内蔵厚さ2.38mm
読込速度3200MB/s書込速度2400MB/s
ランダム読込速度Random Read(QD1):Up to 12K IOPS、Random Read(QD32):Up to 380K IOPSランダム書込速度Random Write(QD1):Up to 50K IOPS、Random Write(QD32):Up to 440K IOPS

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