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 仕様 内容 仕様 内容
メーカーサムスン評価3.7
発売時期-容量1000GB
タイプV-NAND 3bit MLC (TLC)規格サイズM.2 (Type2280)
設置タイプ内蔵厚さ2.38mm
読込速度3500MB/s書込速度3000MB/s
ランダム読込速度ランダム(QD1 Thread1)読み出し:17,000 IOPS、ランダム(QD32 Thread4)読み出し:500,000 IOPSランダム書込速度ランダム(QD1 Thread1)書き込み:54,000 IOPS、ランダム(QD32 Thread4)書き込み:480,000 IOPS

サムスン製品情報仕様

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