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 仕様 内容 仕様 内容
メーカーサムスン評価4.2
発売時期-容量2000GB
タイプV-NAND 3bit MLC規格サイズM.2 (Type2280)
設置タイプ内蔵厚さ2.38mm
読込速度7000MB/s書込速度5100MB/s
ランダム読込速度ランダム(QD1 Thread1)読み出し:22,000 IOPS、ランダム(QD32 Thread16)読み出し:1,000,000 IOPSランダム書込速度ランダム(QD1 Thread1)書き込み:60,000 IOPS、ランダム(QD32 Thread16)書き込み:1,000,000 IOPS

サムスン製品情報仕様

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