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 仕様 内容 仕様 内容
メーカーサムスン評価4.5
発売時期2024/1/31容量1000GB
タイプV-NAND TLC規格サイズM.2 (Type2280)
設置タイプ内蔵厚さ2.38mm
読込速度5000MB/s書込速度4200MB/s
ランダム読込速度ランダム(QD1 Thread1)読み出し:20,000 IOPS、ランダム(QD32 Thread16)読み出し:680,000 IOPSランダム書込速度ランダム(QD1 Thread1)書き込み:90,000 IOPS、ランダム(QD32 Thread16)書き込み:800,000 IOPS

サムスン製品情報仕様

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